В компании Samsung поздно вечером в воскресенье заявили, что разработали новый тип мобильной памяти с ультраширокой полосой пропускания для смартфонов и планшетов. LPDDR2 (Низкая мощность Двойная Скорость передачи данных 2) RAM увеличивает пропускную способность просто за счет увеличения числа контактов на микросхеме в 16 раз, с 32 до 512. В итоге, производительность такого типа мобильной памяти увеличилась в восемь раз, по сравнению с обьчной мобильной памятью DDR, достигая пропускной способности в 12.8 Гбайт/сек. Причем, даже со столь внушительными характеристиками, потребление мощности снижено на 87 процентов, заявили представители корейской фирмы.
Изначально нововведение затронет микросхему в один гигабит (128 МБ), выполненную по 50-нанометровой технологии. Представители Samsung пока еще не озвучили никакой конкретной информации о сроках выхода новых устройств, но в долгосрочной перспективе компания собирается выпускать микросхемы в четыре гигабита (512 МБ), выполненные по 20-нанометровой технологии с применением новейшей технологии с ультраширокой полосой пропускания данных. Традиционные модули памяти уже изготавливаются по технологии в 30 нанометров и позволяют рассчитывать на то, что новая память от Samsung может появиться уже в ближайшее время.
Никаких клиентов, для которых будет производиться новый тип памяти озвучено не было, кроме непосредственно фирмы Samsung, хотя итак понятно, что компания Apple является одним из крупнейших покупателей мобильной памяти для iPad, iPhone и iPod и должна обратить внимание на новые устройства от корейского производителя.
